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半导体制程技术迈入3D2013年可视为量产元年

发布时间:2020-06-30 21:57:09 阅读: 来源:塑料盖厂家

时序即将进入2012年,半导体产业技术持续进行变革,其中3D IC便为未来芯片发展趋势,将促使供应链加速投入3D IC研发,其中英特尔(Intel)在认为制程技术将迈入3D下,势必激励其本身的制程创新。另外在半导体业者预期3D IC有机会于2013年出现大量生产的情况下,预估2013年也可视为是3D IC量产元年。

本文引用地址: IC为未来芯片发展趋势,其全新架构带来极大改变,英特尔即认为,制程技术将迈入3D,未来势必激励技术创新。英特尔实验室日前便宣布与工研院合作,共同合作开发3D IC架构且具低功耗特性的内存技术,此一技术未来将应用在Ultrabook、平板计算机、智能型手机等行动装置,以及百万兆级(Exascale)与超大云端数据中心(Cloud Mega-Data Centers)。

工研院认为,英特尔拥有多项技术专利,与工研院3D IC研发基础相互结合,应可使台湾产业关键自主技术,进一步带动相关产业链发展。

封测业界认为,近期半导体供应链在投入3D IC研发方面有加速的现象,很多厂商都加入研发的供应链中,包括晶圆厂、封测厂等,在3D IC的研发费用比2010年增加许多,这对发展3D产业是好事,预测3D IC应可望于2013年出现大量生产的情况,应可视为3D IC的量产元年。

日月光指出,在逻辑与内存芯片接合的接口标准即Wide I/O Memory Bus,已于9月底尘埃落定,加入的半导体成员达上百家,如此将有助于加快厂商开发时程,促使3D IC尽早展开量产。

力成2011年完成研发中心及业务部门组织的改造,并且于新竹科学园区建立晶圆级封装、3D IC先进制程及产品研发的实验工厂,同时也开始兴建3D IC先进制程量产工厂。该公司董事长蔡笃恭认为,TSV等3D IC将于2013年量产。

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